مطالعه مدهای فوتونیکی نانوکاواک خطی l3در بلورهای فوتونیکی شامل چشمه نور کوانتومی داخلی

پایان نامه
چکیده

موضوعی که کمتر مورد توجه قرار گرفته است، این است که، نانوکاواک l3 ، قادر به محبوس‏سازی تعدادی از مدها است. خواصی از این قبیل، کمتر بررسی شده‏اند. مدهای مرتبه بالاتر در این نانوکاواک، برای پمپاژ کارآمد لیزرهای نانوکاواک و همچنین، برای تحریک انتخابی نقاط کوانتومی تعبیه شده درون نانوکاواک، با اهمیت هستند. در نتیجه، در این تحقیق، با تغییر هندسه نانوکاواک، (جابجایی‏های مختلف حفره‏های هوای اطراف آن و یا تغییر شعاع حفره‏های هوا)، مدهای محبوس شده مرتبه بالاتر درون انواع مختلف نانوکاواک بلور فوتونی l3 تغییر شکل یافته، بررسی شده است. در طی مراحل مختلف شبیه‏سازی، تغییرات طول‏موج و فاکتور کیفیت مدهای محبوس‏شده، مورد بررسی قرار گرفته‏ و همچنین، در مراحلی نیز، به الگوهای هندسی دو و سه‏بعدی طرح مدها، پرداخته شده است. مشاهده می‏شود که فاکتور کیفیت مدهای محبوس‏شده، نسبت به تغییرات مکان حفره‏های هوا، بسیار حساس بوده و در هر ساختاری و با اعمال هر یک از جابجایی‏های مختلف، رفتار متفاوتی را بروز می‏دهد. در برخی موارد، افزایش چشمگیری، (بیش از 32 برابر)، در فاکتور کیفیت مد محبوس شده، امکان‏پذیر شده است. در نوعی نانوکاواک l3 تغییر شکل یافته، پدیده ‏مهم شکافت کنترلی مد، مشاهده شده است. اختلاف طول‏موج بین دو مد شکافته شده در ابتدای مشاهده این پدیده، 3/0 نانومتر و در مرحله آخر به 4/9 نانومتر، رسیده است. علاوه بر این، ضمن کنترل تبهگنی موجود در ساختار مدی، داشتن مدی با طول‏موج خاص و فاکتور کیفیت بالاتر، امکان‏پذیر شده است. در این پایان‏نامه، محاسبات، آنالیز داده‏ها و ترسیم الگوهای مدی، با استفاده از نرم‏افزارهای bandsolve و origin ، انجام شده است.

۱۵ صفحه ی اول

برای دانلود 15 صفحه اول باید عضویت طلایی داشته باشید

اگر عضو سایت هستید لطفا وارد حساب کاربری خود شوید

منابع مشابه

بررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی

بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

متن کامل

بررسی مدهای نانوکاواک در نانوساختارهای گاف نواری فوتونیکی

مطالعه و کاربرد بلورهای فوتونیکی در دهه‎ی اخیر به شدت افزایش یافته است، از بلورهای فوتونیکی یک بعدی در ساخت پوشش‎هایی با قابلیت انعکاس بالا و پایین برای آینه‎ها و لنزها بهره برده می‎شود. بلورهای فوتونیکی دوبعدی در تحقیقات کنونی از اهمیت بیشتری برخوردار بوده، بطوریکه که کاربردهای تجاری برای چنین ساختارهایی بوجود آمده‎است که لیزرها و فیبرهای بلور فوتونیکی از جمله این کاربردها می‎باشد. گرچه فعلا ج...

مطالعه ی خواص مدهای نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی

در این پایان نامه، مدهای الکترومغناطیسی جایگزیده در بلورهای فوتونیکی یک بعدی با یک لایه نقص ساختاری مورد بررسی قرار گرفته است. نقش لایه نقص را بلور مایع نماتیک بازی می کند. نشان داده شده است که طیف تراگسیلی و ضریب میرایی مدهای نقص به ضخامت و جهت گیری محور اپتیکی بلور مایع نماتیک وابسته است. در ادامه طیف تراگسیلی با دو نقص شبکه ای را مورد مطالعه قرار می دهیم. در این تحقیق نشان داده شده است که می...

15 صفحه اول

بررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی

بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...

متن کامل

تونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی

در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...

متن کامل

کوک‌پذیری نور کند در بلور فوتونیکی با لایه‌های نقص

In present study, the effect of different defect layer refractive indices and thicknesses on group velocity has been studied in one-dimensional photonic crystal. It is found that the increase of refractive index, number of defects and defect layer thickness will induce the decrease of group velocity. Taking advantage of these results, a novel technique has been introduced to tune and control th...

متن کامل

منابع من

با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید

ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده

{@ msg_add @}


نوع سند: پایان نامه

وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده علوم پایه

میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com

copyright © 2015-2023