مطالعه مدهای فوتونیکی نانوکاواک خطی l3در بلورهای فوتونیکی شامل چشمه نور کوانتومی داخلی
پایان نامه
- وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده علوم پایه
- نویسنده فروغ خزیمه سربیشه
- استاد راهنما سهیل شریفی احمدرضا دارایی
- تعداد صفحات: ۱۵ صفحه ی اول
- سال انتشار 1391
چکیده
موضوعی که کمتر مورد توجه قرار گرفته است، این است که، نانوکاواک l3 ، قادر به محبوسسازی تعدادی از مدها است. خواصی از این قبیل، کمتر بررسی شدهاند. مدهای مرتبه بالاتر در این نانوکاواک، برای پمپاژ کارآمد لیزرهای نانوکاواک و همچنین، برای تحریک انتخابی نقاط کوانتومی تعبیه شده درون نانوکاواک، با اهمیت هستند. در نتیجه، در این تحقیق، با تغییر هندسه نانوکاواک، (جابجاییهای مختلف حفرههای هوای اطراف آن و یا تغییر شعاع حفرههای هوا)، مدهای محبوس شده مرتبه بالاتر درون انواع مختلف نانوکاواک بلور فوتونی l3 تغییر شکل یافته، بررسی شده است. در طی مراحل مختلف شبیهسازی، تغییرات طولموج و فاکتور کیفیت مدهای محبوسشده، مورد بررسی قرار گرفته و همچنین، در مراحلی نیز، به الگوهای هندسی دو و سهبعدی طرح مدها، پرداخته شده است. مشاهده میشود که فاکتور کیفیت مدهای محبوسشده، نسبت به تغییرات مکان حفرههای هوا، بسیار حساس بوده و در هر ساختاری و با اعمال هر یک از جابجاییهای مختلف، رفتار متفاوتی را بروز میدهد. در برخی موارد، افزایش چشمگیری، (بیش از 32 برابر)، در فاکتور کیفیت مد محبوس شده، امکانپذیر شده است. در نوعی نانوکاواک l3 تغییر شکل یافته، پدیده مهم شکافت کنترلی مد، مشاهده شده است. اختلاف طولموج بین دو مد شکافته شده در ابتدای مشاهده این پدیده، 3/0 نانومتر و در مرحله آخر به 4/9 نانومتر، رسیده است. علاوه بر این، ضمن کنترل تبهگنی موجود در ساختار مدی، داشتن مدی با طولموج خاص و فاکتور کیفیت بالاتر، امکانپذیر شده است. در این پایاننامه، محاسبات، آنالیز دادهها و ترسیم الگوهای مدی، با استفاده از نرمافزارهای bandsolve و origin ، انجام شده است.
منابع مشابه
بررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی
بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...
متن کاملبررسی مدهای نانوکاواک در نانوساختارهای گاف نواری فوتونیکی
مطالعه و کاربرد بلورهای فوتونیکی در دههی اخیر به شدت افزایش یافته است، از بلورهای فوتونیکی یک بعدی در ساخت پوششهایی با قابلیت انعکاس بالا و پایین برای آینهها و لنزها بهره برده میشود. بلورهای فوتونیکی دوبعدی در تحقیقات کنونی از اهمیت بیشتری برخوردار بوده، بطوریکه که کاربردهای تجاری برای چنین ساختارهایی بوجود آمدهاست که لیزرها و فیبرهای بلور فوتونیکی از جمله این کاربردها میباشد. گرچه فعلا ج...
مطالعه ی خواص مدهای نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی
در این پایان نامه، مدهای الکترومغناطیسی جایگزیده در بلورهای فوتونیکی یک بعدی با یک لایه نقص ساختاری مورد بررسی قرار گرفته است. نقش لایه نقص را بلور مایع نماتیک بازی می کند. نشان داده شده است که طیف تراگسیلی و ضریب میرایی مدهای نقص به ضخامت و جهت گیری محور اپتیکی بلور مایع نماتیک وابسته است. در ادامه طیف تراگسیلی با دو نقص شبکه ای را مورد مطالعه قرار می دهیم. در این تحقیق نشان داده شده است که می...
15 صفحه اولبررسی نقص در بلورهای فوتونیکی یک بعدی
بلورهای فوتونیکی، مواد دی الکتریکِ مصنوعی با ضرریب شکسرت تناوبی هستند که ویژگی های الکترومغناطیسی جدیردی دارنردا ایربلورها نشان داده اند کره نتیهره اراکنردگی بررا در یرک ررا تاردی الکتریکِ متناوب، اارخی به شکل گرا بانرد فوترونیکی اررتاای گا ها از حضور فوتو نها در یک دامنه انرژی معیّ جلروگیریبه عمل می آورندا وقتی تناوب شبکه با وارد کرردن یرک ن ره برهدرون بلور فوتونیکی شکسته می شود، یک م ر د ن ره جا...
متن کاملتونل زنی فوتونی در بلورهای فوتونیکی متا مواد تک منفی
در این مقاله ما تونل زنی فوتونی را از طریق ساختارFTIRبررسی میکنیم ساختارFTIRشامل بلورهای فوتونیکی مواد تک منفی یک بعدی است که بوسیله تکرار دوره ای و تناوبی از لایه هایو PIMNIM تشکیل شده است. ما یک دوره از لایه های مواد با ضریب شکست مثبت ومواد با ضریب شکست منفی را همانند یک ساختار در نظر می گیریم.وتونل زنی را برای این حالت بررسی میکنیم. سپس ما تغییرات بعد ازتونل زنی را بیشتر تحلیل می کنیم و زمان...
متن کاملکوکپذیری نور کند در بلور فوتونیکی با لایههای نقص
In present study, the effect of different defect layer refractive indices and thicknesses on group velocity has been studied in one-dimensional photonic crystal. It is found that the increase of refractive index, number of defects and defect layer thickness will induce the decrease of group velocity. Taking advantage of these results, a novel technique has been introduced to tune and control th...
متن کاملمنابع من
با ذخیره ی این منبع در منابع من، دسترسی به آن را برای استفاده های بعدی آسان تر کنید
ذخیره در منابع من قبلا به منابع من ذحیره شده{@ msg_add @}
نوع سند: پایان نامه
وزارت علوم، تحقیقات و فناوری - دانشگاه سیستان و بلوچستان - دانشکده علوم پایه
کلمات کلیدی
میزبانی شده توسط پلتفرم ابری doprax.com
copyright © 2015-2023